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氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设-审批信息

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信息时间:
2024-06-24
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备案项目编号:2406-440112-04-01-343772

项目名称:氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设

项目所在地:广州市黄埔区九龙镇广州市黄埔区九龙镇中新广州知识城九龙大道以东、广河高速公路以北Z SCKD-D1-1地块 中新广州知识城

项目总投资:5000万元

项目规模及内容:平台建设规模:两千平方米??\n主要内容:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术平台建设??\n产品名称:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术??\n设计生产能力:平台专注于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的大功率模块封装技术,主要解决功率模块的封装结构、封装互连材料、模块寄生和散热管理四大技术难题。实验室每年最高可进行超过2000次的封装工艺测试和验证。??\n主要设备选型及技术标准:GaN MOSFET和SiC MOSFET

******大学广州研究院

******改革局

备案申报日期:2024/06/20

复核通过日期:2024-06-24

项目起止年限:2024-06-01-2024-12-01

项目当前状态:办结(通过)

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